本發(fā)明公開(kāi)了一種局部放電特高頻傳感器等效高度補(bǔ)償測(cè)量系統(tǒng)及方法，包括GTEM小室、射頻信號(hào)源、射頻功率放大器、同軸接頭、電場(chǎng)探頭、電場(chǎng)測(cè)量模塊、單極標(biāo)準(zhǔn)探針、測(cè)控計(jì)算機(jī)、高速示波器，在GTEM小室上方開(kāi)有測(cè)試窗口，單極標(biāo)準(zhǔn)探針傳遞函數(shù)已知。以單極標(biāo)準(zhǔn)探針測(cè)量位置所處電場(chǎng)為基準(zhǔn)，利用電場(chǎng)探頭測(cè)量不同位置的電場(chǎng)值與電場(chǎng)基準(zhǔn)相比較，得出相應(yīng)的補(bǔ)償量，對(duì)被測(cè)特高頻傳感器所處位置的電場(chǎng)進(jìn)行補(bǔ)償計(jì)算，得到被測(cè)傳感器補(bǔ)償量，從而削弱測(cè)試位置不同造成的電場(chǎng)不均勻?qū)Ρ粶y(cè)特高頻傳感器等效高度的影響，進(jìn)一步提高了特高頻傳感器等效高度測(cè)量準(zhǔn)確度。

1.一種局部放電特高頻傳感器等效高度補(bǔ)償測(cè)量系統(tǒng)，其特征是包括GTEM小室、射頻信號(hào)源、射頻功率放大器、同軸接頭、電場(chǎng)探頭、電場(chǎng)測(cè)量模塊、單極標(biāo)準(zhǔn)探針、測(cè)控計(jì)算機(jī)、高速示波器、位置固定及測(cè)量裝置，所述GTEM小室上方開(kāi)有測(cè)試窗口，所述單極標(biāo)準(zhǔn)探針、電場(chǎng)探頭和被測(cè)特高頻傳感器通過(guò)位置固定及測(cè)量裝置置于測(cè)試窗口中心處，并測(cè)量其移動(dòng)位置尺寸；所述單極標(biāo)準(zhǔn)探針與高速示波器連接、所述被測(cè)特高頻傳感器與高速示波器連接，高速數(shù)字示波器與測(cè)控計(jì)算機(jī)連接；所述電場(chǎng)探頭與電場(chǎng)測(cè)量模塊連接，電場(chǎng)測(cè)量模塊與測(cè)控計(jì)算機(jī)連接；所述測(cè)控計(jì)算機(jī)與射頻信號(hào)源連接、射頻功率放大器、同軸接頭連接，同軸接頭連接到GTEM小室，所述位置固定及測(cè)量裝置包括設(shè)置在支撐桿(2)頂部的支撐架(1)，支撐桿(2)上設(shè)有可沿其上下滑動(dòng)的固定環(huán)(3)，固定環(huán)(3)上均布有朝向圓心位置的三個(gè)緊固夾板(4)，其中一個(gè)緊固夾板(4)上安裝有可上下移動(dòng)的測(cè)量裝置(5)，所述測(cè)量裝置(5)為鋼直尺。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部放電特高頻傳感器等效高度補(bǔ)償測(cè)量系統(tǒng)，其特征是所述單極標(biāo)準(zhǔn)探針、電場(chǎng)探頭和被測(cè)特高頻傳感器可沿垂直于小室頂板面的軸向上下移動(dòng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部放電特高頻傳感器等效高度補(bǔ)償測(cè)量系統(tǒng)，其特征是所述單極標(biāo)準(zhǔn)探針為尺寸、傳遞函數(shù)已知的短單極探針。4.一種局部放電特高頻傳感器等效高度補(bǔ)償測(cè)量方法，其特征是包括局部放電特高頻傳感器等效高度補(bǔ)償測(cè)量系統(tǒng)，所述的局部放電特高頻傳感器等效高度補(bǔ)償測(cè)量系統(tǒng)為權(quán)利要求1—3任一項(xiàng)所述的局部放電特高頻傳感器等效高度補(bǔ)償測(cè)量系統(tǒng)，按照以下步驟：步驟1：將單極標(biāo)準(zhǔn)探針通過(guò)位置固定裝置安裝到小室上方測(cè)試窗口處，將GTEM小室測(cè)試窗口位置設(shè)為0，窗口下方為負(fù)，窗口上方為正，以小室頂部測(cè)試窗口中心為軸線，用測(cè)量裝置記錄單極標(biāo)準(zhǔn)探針距離GTEM小室測(cè)試窗口位置數(shù)據(jù)為y₀；步驟2：通過(guò)射頻信號(hào)源和射頻功率放大器向GTEM小室注入頻率范圍300MHz～3GHz電壓信號(hào)U_I(f)，在小室內(nèi)部建立電場(chǎng)，單極標(biāo)準(zhǔn)探針耦合輸出電壓U_or(f)，單極標(biāo)準(zhǔn)探針經(jīng)高速示波器傳輸?shù)綔y(cè)控計(jì)算機(jī)輸出電壓信號(hào)為U_Mr(f)；步驟3：根據(jù)步驟1中單極標(biāo)準(zhǔn)探針的位置數(shù)據(jù)y₀，將電場(chǎng)探頭安裝在單極標(biāo)準(zhǔn)探針相同的位置y₀處，向GTEM小室中注入與步驟2中相同的電壓信號(hào)U_I(f)，記錄電場(chǎng)探頭輸出電場(chǎng)值E_I(f)，則單極標(biāo)準(zhǔn)探針等效高度可表示為步驟4：以GTEM小室測(cè)試窗口位置為原點(diǎn)0，窗口下方為負(fù)，窗口上方為正，沿小室頂部測(cè)試窗口中心軸線將電場(chǎng)探頭移動(dòng)到位置y₁，向GTEM小室中注入與步驟2中相同的電壓信號(hào)U_I(f)，記錄電場(chǎng)探頭輸出電場(chǎng)值E₁(f)，位置y₁處電場(chǎng)與單極標(biāo)準(zhǔn)探針位置y₀處電場(chǎng)相比，可以算出補(bǔ)償量同樣的，按照該步驟移動(dòng)電場(chǎng)探頭位置y₂，并計(jì)算對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償量以此類推，由一組y₁、y₂、y₃...y_n位置，測(cè)量得到一組電場(chǎng)值E₁(f)、E₂(f)、E₃(f)...E_n(f)，并計(jì)算得到對(duì)應(yīng)的一組Δγ₁(f)、Δγ₂(f)、Δγ₃(f)...Δγ_n(f)；步驟5：將被測(cè)特高頻傳感器通過(guò)位置固定裝置安裝到小室上方測(cè)試窗口處，用測(cè)量裝置記錄被測(cè)特高頻傳感器距離GTEM小室測(cè)試窗口位置數(shù)據(jù)y_s，根據(jù)位置數(shù)據(jù)y_s，找出y₁、y₂、y₃...y_n中與其相減絕對(duì)值最小的量，即|y_s-y₁|、|y_s-y₂|、|y_s-y₃|...|y_s-y_n|中的最小值，設(shè)|y_s-y_i|＝min(|y_s-y₁|、|y_s-y₂|、|y_s-y₃|...|y_s-y_n|)，則y_s≈y_i，將y_i對(duì)應(yīng)Δγ_i(f)的作為被測(cè)特高頻傳感器補(bǔ)償量，即Δγ_s(f)＝Δγ_i(f)；步驟6：向GTEM小室中注入與步驟2中相同的電壓信號(hào)U_I(f)，被測(cè)特高頻傳感器所處位置處y_s的電場(chǎng)E_s(f)＝E_i(f)，其耦合輸出電壓U_os(f)，經(jīng)測(cè)量系統(tǒng)輸出電壓為U_Ms(f)，當(dāng)被測(cè)傳感器位于y₀時(shí)，所處電場(chǎng)為E_I(f)，其等效高度為由于被測(cè)傳感器位于y_s處，所處電場(chǎng)為E_i(f)＝Δγ_i(f)·E_I(f)，被測(cè)特高頻傳感器測(cè)得的等效高度與H_sens(f)相比有誤差，其表達(dá)式為因此，H_sens(f)＝Δγ_s(f)·H′_sens(f)；步驟7：設(shè)GTEM小室傳遞函數(shù)為H_cell，高速示波器或高速示波器到單極標(biāo)準(zhǔn)探針或被測(cè)特高頻傳感器線纜的傳遞函數(shù)為H_sys，則單極標(biāo)準(zhǔn)探針和被測(cè)特高頻傳感器輸出電壓可表示為由此推導(dǎo)得到結(jié)合步驟6，得到被測(cè)特高頻傳感器等效高度為