公開了一種薄膜晶體管電氣特性測量方法，包括：用激光對顯示器面板中鄰近待測像素中的薄膜晶體管源極的數據線和鄰近待測像素中薄膜晶體管柵極的柵線進行切割；用第一測試元件組探針和第二測試元件組探針分別扎入所述數據線和所述柵線的切開截面，并用第三測試元件組探針扎入所述待測像素中薄膜晶體管的漏極；通過向所述第一測試元件組探針、所述第二測試元件組探針或所述第三測試元件組探針施加所需電壓，來測量所述薄膜晶體管的電氣特性。采用本申請提供的測量方法，能夠準確呈現面板中像素內TFT的電氣特性，而且，能夠準確定位薄膜晶體管本身的異常。

1.一種薄膜晶體管電氣特性測量方法，其特征在于，包括：
用激光對顯示器面板中鄰近待測像素中的薄膜晶體管源極的數據線和鄰近待測像素
中的薄膜晶體管柵極的柵線進行切割，所述待測像素是可能出現亮點的像素；
用第一測試元件組探針和第二測試元件組探針分別扎入所述數據線和所述柵線的切
開截面，并用第三測試元件組探針扎入所述待測像素中薄膜晶體管的漏極；
通過向所述第一測試元件組探針、所述第二測試元件組探針或所述第三測試元件組探
針施加所需電壓，來測量所述薄膜晶體管的電氣特性；
所述鄰近待測像素中的薄膜晶體管源極的數據線是位于所述待測像素中的與所述薄
膜晶體管的源極連接的數據線的一部分；
所述鄰近待測像素中的薄膜晶體管柵極的柵線是位于所述待測像素中的與所述薄膜
晶體管的柵極連接的柵線的一部分。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，用激光對顯示器面板中鄰近待測像素中的
薄膜晶體管源極的數據線和鄰近待測像素中的薄膜晶體管柵極的柵線進行切割，直到暴露
出形成所述薄膜晶體管的柵線和數據線的金屬材料層。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過向所述第一測試元件組探針、第二測
試元件組探針或所述第三測試元件組探針施加所需電壓，來測量所述薄膜晶體管的電氣特
性，包括：
通過所述第二測試元件組探針向所述薄膜晶體管的柵極施加所需的柵極電壓；
測量所述第一測試元件組探針和所述第三測試元件組探針的電信號來確定所述薄膜
晶體管的源極和漏極是否連通，從而確定所述薄膜晶體管是否導通。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，通過向所述第一測試元件組探針、第二測
試元件組探針或所述第三測試元件組探針施加所需電壓，來測量所述薄膜晶體管的電氣特
性，還包括：
如果當向所述薄膜晶體管的柵極施加所需的柵極電壓后，所述薄膜晶體管導通，則通
過所述第二測試元件組探針向所述薄膜晶體管的柵極施加所需柵極電壓來獲得所述薄膜
晶體管的電流-電壓特性曲線。